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湿法刻蚀相对于等离子刻蚀的缺点?

1、 硅片水平运行,机片高(等离子刻蚀去PSG槽式浸泡甩干,硅片受冲击小);

2、下料吸笔易污染硅片(等离子刻蚀去PSG后甩干);

3、传动滚抽易变形(PVDF,PP材质且水平放置易变形);

4、成本高(化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加)。

      此外,有些等离子刻蚀机,如SCE等离子刻蚀机还具备“绿色”优势:无氟氯化碳和污水、操作和环境安全、排除有毒和腐蚀性的液体。SCE等离子刻蚀机支持以下四种平面等离子体处理模式:

直接模式——基片可以直接放置在电极托架或是底座托架上,以获得最大的平面刻蚀效果。

定向模式——需要非等向性刻蚀(anisotropic etching)的基片可以放置在特制的平面托架上。

下游模式——基片可以放置在不带电托架上,以便取得微小的等离子体效果。

定制模式——当平面刻蚀配置不过理想时,特制的电极配置可以提供。


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